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發(fā)布時間: 2024-08-16
產(chǎn)品型號: BEST-300c
廠商性質(zhì): 生產(chǎn)廠家
所 在 地: 北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號
產(chǎn)品特點: 四探針電阻率測試儀氣氛保護(氣體客戶自備) 常用氣體如下:氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn),均為無色、無臭、氣態(tài)的單原子分子
四探針電阻率測試儀
電阻率范圍 10-6~2×106Ω-cm 10-7~2×106Ω-cm 10-5~2×108Ω-cm
測試電流范圍 0.1μA.μA.0μA,100μA,1mA,10mA,100 mA 1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA 10mA?---200pA
雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
高溫材料 采用復(fù)合陶瓷纖維材料,具有真空成型,高溫不掉粉的特征
電腦和打印機1套;2.標(biāo)準(zhǔn)電阻1-5個
標(biāo)配外(選購):
常溫 --400℃;600℃;800℃;1000℃;1200℃;1400℃;1600℃
方塊電阻范圍 10-5~2×105Ω 10-6~2×105Ω 10-4~1×107Ω
四探針電阻率測試儀
氣氛保護(氣體客戶自備) 常用氣體如下:氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn),均為無色、無臭、氣態(tài)的單原子分子
電流精度 ±0.1%讀數(shù) ±0.1讀數(shù) ±2%
直線型探針,探針中心間距:4mm;樣品要求大于13mm直徑
四探針儀工作電源 AC 220V±10%.50Hz <30W
PC軟件
溫度(選購)
采用四探針雙電組合測量方法測試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合配置高溫四探針測試探針治具與PC軟件對數(shù)據(jù)的處理和測量控制,解決半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對溫度變化測量要求,軟件實時繪制出溫度與電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線圖譜,及過程數(shù)據(jù)值的報表分析.
溫度精度 沖溫值:≤1-3℃;控溫精度:±1°C
規(guī)格型號 FT-351A FT-351B FT-351C
測試PC軟件一套,USB通訊接口,軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數(shù)據(jù)!
三.型號及參數(shù):
配套方案:解決各材料狀態(tài) --固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)、顆粒狀 電阻、電阻率、電導(dǎo)率測量
電極材料 鎢電極或鉬電極
測試方式 雙電測量
電阻精度 ≤0.3% ≤0.3% ≤10%
二.適用行業(yè)::
供電:400-1200℃ 電源220V,功率4KW;380V;1400℃-1600℃電源380V;功率9KW:
誤差 ≤3%(標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果 ≤15%
探針間距
用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).
升溫速度: 常溫開始400℃--800℃需要15分鐘;800℃-1200℃需要30分鐘;1400℃-1600℃需要250分鐘—300分鐘
高溫電源:
一.BEST-351高溫四探針電阻率測試系統(tǒng)概述:
PC軟件界面 顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率